據(jù)報道,紫光集團旗下長江存儲宣布,在上海中國國際半導體博覽會舉行前夕,已開始量產基于XtackingR架構的64層“三階儲存單元”3D NAND閃存。
所謂3D NAND是通過將原本平鋪的儲存單元堆疊起來,形成多層結構提供容量,使原本只有1層的儲存單元堆疊成64層或更多層。相比傳統(tǒng)三維閃存架構可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市周期。
未來,隨著云計算、大數(shù)據(jù)、5G技術及AI智能的發(fā)展,人類對數(shù)據(jù)存儲要求越來越挑剔,三維閃存存儲芯片是高端芯片一個重要領域。目前,存儲芯片市場競爭異常激烈。2018年,64層、72層的3D NAND閃存是主力產品,2019年開始量產92層、96層的產品,到2020年,各大廠商預計進入128層3D NAND閃存的量產。長江存儲64層三維閃存產品的量產有望使中國存儲芯片自產率從8%提升至40%。在美日韓如三星、海力士、東芝、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾等巨頭大廠壟斷下,長江存儲的64層3D NAND閃存量產消息別具一格。